摘要：目的探讨首发精神分裂症患者错误相关负电位（ERN）的变异及相应脑激活区。方法在2010年3月至2011年2月，应用德国Brain roducts公司的ERP记录与分析系统，对上海交通大学医学院附属精神卫生中心58例首发精神分裂症患者和62名健康成人做了ERN检测及脑激活部位的比较。结果（1）与健康对照组相比，首发精神分裂症ERN潜伏期在Cz（健康对照组：49ms±13ms，患者组：58ms±14ms，P〈0．01）、Fz（健康对照组：47ms±13ms，患者组：60ms±11ms，P〈0．01）、C3（健康对照组：50ms±14ms，患者组：57ms±17ms，P〈0．05）和C4（健康对照组：51ms±12ms，患者组：60ms±13ms，P〈0．01）上明显延迟，波幅Cz（健康对照组：7．5μV±3．1μV，患者组：5．0μV±2．8μV，P〈0．01）、C3（健康对照组：8．0μV±3．7μV，患者组：5．5μV±4．0μV，P〈0．01）、Fz（健康对照组：7．7μV±3．8μV，患者组：5．0μV±3．1μV，P〈0．01）、Pz（健康对照组：7．5μV±3．0μV，患者组：4．5μV±3．3μV，P〈0．01）较健康对照组低。（2）ERN潜伏期和波幅变化与阳性症状分和PANSS总分之间缺乏显著性相关。（3）精神分裂症组脑岛、颞上回、颞中回、顶下小叶等处激活明显低下。结论（1）首发精神分裂症患者的ERN波幅和潜伏期异常，可能反映了本组患者内在错误监控机制存在缺陷，此特点仍需进一步随访。（2）脑岛等处功能异常导致的精神分裂症错误监控功能障碍，可能是其发病机制之一。