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紫外增强硅基成像探测器进展

作者:张猛蛟; 蔡毅; 江峰; 钟海政; 王岭雪 北京理工大学光电学院纳米光子学与超精密光电系统北京市重点实验室; 北京100081; 中国兵器科学研究院; 北京100089; 北京理工大学材料学院; 北京100081; 华东光电集成器件研究所; 江苏苏州215163

摘要:硅基紫外成像探测技术具有可靠性好、集成度高、容易大面阵化、成本低等优势,成为探测领域的重要研究方向。随着硅半导体工艺的持续进步以及纳米科学的发展,利用半导体技术、荧光转换材料或者低维纳米结构来增强硅基探测器的紫外响应取得了长足的进步。本文综述了国内外硅基紫外增强成像探测器件、系统应用的进展,通过回顾器件发展的历史和对研究现状的分析,并结合紫外探测技术在天文物理、生化分析、电晕检测等领域的应用进展,探讨了硅基紫外成像探测技术发展的趋势和挑战。

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中国光学

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国际刊号:2095-1531

国内刊号:22-1400/O4

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