压接型IGBT均流设计
作者：刘国友; 窦泽春; 罗海辉; 覃荣震; 王彦刚 新型功率半导体器件国家重点实验室; 湖南株洲412001; 株洲中车时代电气股份有限公司; 湖南株洲412001; 中车株洲电力机车研究所有限公司; 湖南株洲412001
摘要：针对压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)内部均流设计,对多芯片压接结构及其压力均衡、压接型IGBT芯片内部均流、子单元间均流等方面进行了研究和优化设计。试验验证了压接型IGBT具有良好的电流关断能力、短路电流能力及反偏安全工作区,器件内部均流状态较好。
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