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首页 > 期刊 > 液晶与显示 > ADS双栅线结构高透像素设计 【正文】

ADS双栅线结构高透像素设计

作者:王小元; 方琰; 王武; 白雅杰; 毕瑞琳; 廖燕平; 李承珉; 袁剑峰; 邵喜斌 重庆京东方光电科技有限公司; 重庆400700

摘要:大尺寸、高分辨率(4K:3840×2160、8K:7680×4320)、高透过率和高性价比是TV产品发展的主要方向。先进的超级多维场开关(ADS)双栅线4K阵列基板栅极(Gateon Array,GOA)产品是目前主流的TV产品之一,因产品分辨率高和双栅线结构,像素尺寸较小且开口率较低,加之常规ADS双栅线像素结构在两个子像素中间的暗区较大,导致面板透过率较低,影响产品特性和竞争力。本文在常规ADS双栅线像素结构基础上,改变两层电极的功能,使底层电极作为像素电极,顶层电极作为公共电极,同时顶层电极在两个子像素面内采用联通设计,减小有效电场弱区和像素暗区,提升像素光效和透过率。模拟和试验结果表明:新型ADS双栅线像素设计可以提升面板透过率约3%。且光学、电学、机械和信赖性等评价无问题,可实际应用于产品,提高产品价值和竞争力。

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