[ 登录/注册 ] 购物车(0)
期刊大全 杂志订阅 SCI期刊 期刊投稿 出版社 公文范文 精品范文
摘要:以CMOS存储单元为研究对象,介绍了仿真在CMOS抗辐射加固集成电路单粒子效应机理及电路抗单粒子加固设计方面的研究进展,讨论了特征尺寸的缩小对单粒子辐射效应的影响,提出了利用交叉隔离和错误猝熄的方法改进传统存储单元的加固性能,并通过试验验证了该方法的有效性。
注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社
统计源期刊 下单
国际刊号:2095-6223
国内刊号:61-1491/O4
国际刊号:1672-5131
国内刊号:44-1592/R
国际刊号:1004-4132
国内刊号:11-3018/N
国际刊号:0253-6102
国内刊号:11-2592/O3
国际刊号:1002-2244
国内刊号:11-9229/TP
多年专注期刊服务,熟悉发表政策,投稿全程指导。因为专注所以专业。
推荐期刊保障正刊,评职认可,企业资质合规可查。
诚信服务,签订协议,严格保密用户信息,提供正规票据。
如果发表不成功可退款或转刊。资金受第三方支付宝监管,安全放心。