摘要：采用真空热蒸发工艺，在ITO基片上分别制备ZnS薄膜和In薄膜，在正交实验条件下，以2％掺杂浓度的In原子掺杂可获得较高的载流子浓度，在此基础上，研究了不同退火温度对ZnS：In薄膜的光、电性能的影响。