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首页 > 期刊 > 潍坊学院学报 > 不同载流子输运模型对GaN IMPATT二极管直流特性的影响研究 【正文】

不同载流子输运模型对GaN IMPATT二极管直流特性的影响研究

氮化镓 impatt 流体动力学 
作者：李秀圣 潍坊学院; 山东潍坊261061

摘要：本文利用氮化镓半导体,设计了传统的高-低结构的碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二极管,并利用漂移-扩散输运模型和流体动力学输运模型,在Sentaurus模拟器中对器件的直流特性进行了模拟研究。通过对比研究,发现漂移-扩散模型过高估计了器件内部载流子的碰撞电离率,而流体动力学模型更能精确的揭示器件内部载流子的电离过程。

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潍坊学院学报

潍坊学院学报杂志， 双月刊，本刊重视学术导向，坚持科学性、学术性、先进性、创新性，刊载内容涉及的栏目：山东半岛经济与社会发展研究、莫言文学研究、北海文化研究、经济·管理、法律、文学·语言·艺术、历史、高等教育与教学、特殊教育、书评等。于2001年经新闻总署批准的正规刊物。

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