摘要：采用分子束外延法成功制备出非理想因子近似为1的台面型SiGe HBT,测量了正常尺寸和大尺寸两种晶体管的Gummel曲线和交流曲线,并测出其截止频率。运用物理公式变换法对Gummel图进行参数提取,包括非理想因子,集电极和基极串联电阻,集电极和基极反向饱和电流等,其中基极反向饱和电流包括扩散项和复合项两部分。将参数提取结果与资料上的理论值进行了比较,结果基本一致,验证了提参结果的正确性,同时发现扩散电流项与面积成正比,而复合电流项与周长成正比。比较了不同尺寸SiGe HBT的参数提取技术,对大尺寸器件提取出IBO1和IB’O1两个值,并给出了现象的相关解释。