《Epe Journal》杂志的收稿范围和要求是什么?
来源:优发表网整理 2026-07-07 16:25:52 689人看过
《Epe Journal》杂志收稿范围涵盖工程技术全领域,此刊是该细分领域中属于非常不错的SCI期刊,在行业细分领域中学术影响力较大,专业度认可很高,所以对原创文章要求创新性较高,如果您的文章质量很高,可以尝试。
平均审稿速度>12周,或约稿,影响因子指数0.344。
该期刊近期没有被列入国际期刊预警名单,广大学者值得一试。
具体收稿要求需联系杂志社或者咨询本站客服,在线客服团队会及时为您答疑解惑,提供针对性的建议和解决方案。
出版商联系方式:EPE ASSOC, C/O VUB-TW, PLEINLAAN 2, BRUSSEL, BELGIUM, B-1050
其他数据
| 是否OA开放访问: | h-index: | 年文章数: |
| 未开放 | 23 | 0 |
| Gold OA文章占比: | 2021-2022最新影响因子(数据来源于搜索引擎): | 开源占比(OA被引用占比): |
| 0.00% | 0 | 0 |
| 研究类文章占比:文章 ÷(文章 + 综述) | 期刊收录: | 中科院《国际期刊预警名单(试行)》名单: |
| 0.00% | SCI、SCIE | 否 |
历年IF值(影响因子):
历年引文指标和发文量:
历年中科院JCR大类分区数据:
历年自引数据:
发文统计
2023-2024国家/地区发文量统计:
| 国家/地区 | 数量 |
| India | 16 |
| France | 7 |
| Iran | 7 |
| GERMANY (FED REP GER) | 3 |
| South Korea | 3 |
| CHINA MAINLAND | 2 |
| Taiwan | 2 |
| Tunisia | 2 |
| Austria | 1 |
| Belgium | 1 |
2023-2024机构发文量统计:
| 机构 | 数量 |
| NATIONAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY... | 9 |
| INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY S... | 4 |
| CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE ... | 3 |
| ISLAMIC AZAD UNIVERSITY | 3 |
| MYONGJI UNIVERSITY | 3 |
| ARTS ET METIERS INSTITUTE OF TEC... | 2 |
| AZARBAIJAN SHAHID MADANI UNIV | 2 |
| NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERSITY | 2 |
| NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SC... | 2 |
| UNIVERSITE PARIS SACLAY | 2 |
近年引用统计:
| 期刊名称 | 数量 |
| IEEE T IND ELECTRON | 65 |
| IEEE T POWER ELECTR | 62 |
| IET POWER ELECTRON | 28 |
| IEEE T IND APPL | 14 |
| IEEE T CIRCUITS-I | 5 |
| J MAGN MAGN MATER | 5 |
| ELECTR POW SYST RES | 4 |
| EPE J | 4 |
| ISA T | 4 |
| RENEW ENERG | 4 |
近年被引用统计:
| 期刊名称 | 数量 |
| IEEE T POWER ELECTR | 14 |
| ENERGIES | 7 |
| IEEE ACCESS | 6 |
| IEEE T IND ELECTRON | 6 |
| ELECTRONICS-SWITZ | 4 |
| EPE J | 4 |
| IET POWER ELECTRON | 4 |
| IEEE J EM SEL TOP P | 3 |
| ARAB J SCI ENG | 2 |
| COMPEL | 2 |
近年文章引用统计:
| 文章名称 | 数量 |
| A novel high step-up DC-DC conve... | 5 |
| Reliability improvement of a flo... | 3 |
| Partial series resonant coupled-... | 2 |
| A transformerless high step-up c... | 2 |
| Eigenvalue analysis of six-phase... | 2 |
| A modular transformerless DC-DC ... | 2 |
| SiC MOSFETs robustness for diode... | 2 |
| A three-output inverter for indu... | 1 |
| Merits of SiC MOSFETs for high-f... | 1 |
| Developed and STM implementation... | 1 |
声明:以上内容来源于互联网公开资料,如有不准确之处,请联系我们进行修改。