《Ieee Electron Device Letters》杂志的收稿范围和要求是什么？
来源：优发表网整理 2026-07-07 16:20:42 1581人看过
《Ieee Electron Device Letters》杂志收稿范围涵盖工程技术全领域，此刊是该细分领域中属于非常不错的SCI期刊，在行业细分领域中学术影响力较大，专业度认可很高，所以对原创文章要求创新性较高，如果您的文章质量很高，可以尝试。
平均审稿速度约1.3个月，影响因子指数4.6。
该期刊近期没有被列入国际期刊预警名单，广大学者值得一试。
具体收稿要求需联系杂志社或者咨询本站客服，在线客服团队会及时为您答疑解惑，提供针对性的建议和解决方案。
出版商联系方式：IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141
其他数据
| 是否OA开放访问： | h-index： | 年文章数： |
| 未开放 | 135 | 550 |
| Gold OA文章占比： | 2021-2022最新影响因子（数据来源于搜索引擎）: | 开源占比（OA被引用占比）： |
| 2.21% | 4.6 | 0.05... |
| 研究类文章占比：文章 ÷（文章 + 综述） | 期刊收录： | 中科院《国际期刊预警名单（试行）》名单： |
| 100.00% | SCI、SCIE | 否 |
历年IF值(影响因子)：
历年引文指标和发文量：
历年中科院JCR大类分区数据：
历年自引数据：
发文统计
2023-2024国家/地区发文量统计：
| 国家/地区 | 数量 |
| CHINA MAINLAND | 577 |
| USA | 282 |
| South Korea | 174 |
| Taiwan | 123 |
| Japan | 65 |
| England | 60 |
| India | 49 |
| Belgium | 37 |
| GERMANY (FED REP GER) | 37 |
| France | 32 |
2023-2024机构发文量统计：
| 机构 | 数量 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 84 |
| UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM | 70 |
| XIDIAN UNIVERSITY | 56 |
| NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UN... | 49 |
| HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE ... | 48 |
| PEKING UNIVERSITY | 42 |
| UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE... | 42 |
| INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY S... | 36 |
| IMEC | 35 |
| NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERSITY | 35 |
近年引用统计：
| 期刊名称 | 数量 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 1317 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 865 |
| APPL PHYS LETT | 812 |
| J APPL PHYS | 318 |
| ADV MATER | 217 |
| NANO LETT | 150 |
| ACS APPL MATER INTER | 142 |
| SCI REP-UK | 138 |
| NATURE | 132 |
| APPL PHYS EXPRESS | 119 |
近年被引用统计：
| 期刊名称 | 数量 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 1587 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 1317 |
| JPN J APPL PHYS | 594 |
| APPL PHYS LETT | 460 |
| IEEE J ELECTRON DEVI | 445 |
| APPL PHYS EXPRESS | 366 |
| SEMICOND SCI TECH | 277 |
| J APPL PHYS | 268 |
| SOLID STATE ELECTRON | 257 |
| ECS J SOLID STATE SC | 249 |
近年文章引用统计：
| 文章名称 | 数量 |
| Enhancement-Mode Ga2O3 Vertical ... | 38 |
| An Artificial Neuron Based on a ... | 36 |
| Recessed-Gate Enhancement-Mode b... | 28 |
| Spin Logic Devices via Electric ... | 27 |
| Current Aperture Vertical beta-G... | 27 |
| beta-Ga2O3 Delta-Doped Field-Eff... | 26 |
| Vertical Ga2O3 Schottky Barrier ... | 24 |
| 1.85 kV Breakdown Voltage in Lat... | 24 |
| Vertical Ga(2)O(3 )Schottky Barr... | 23 |
| First Demonstration of a Logic-P... | 22 |
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