在晶元级Si衬底上制备高深宽比SiO2周期图形
作者： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室; 苏州215123; 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件及相关材料研究部; 苏州215123; 中国科学技术大学纳米学院; 苏州215123; 清华大学深圳研究院; 深圳518055; 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米加工平台; 苏州215123; 中国科学院上海微系统所信息功能材料国家重点实验室; 上海200050
摘要：本文主要介绍了通过步进式光刻、反相剥离和F基等离子体刻蚀工艺在晶元级si衬底上制备SiO2图形的过程，在6in（15．24cm）Si衬底上实现了均匀的周期分别为1．0μm和1．6μm、深宽比分别为2．3和1．4的SiO2周期性掩膜．尤其在周期为1μm的条件下，窗口通过过曝光和反相剥离工艺减小到330nm，该尺寸超越了试验用步进式光刻设备的极限精度尺寸．在通过HF和KOH溶液处理后，得到了带有V型槽和较光滑侧壁的SiO2图形的Si衬底，该图形适用于Ⅲ-V半导体通过深宽比位错捕获技术的材料生长．这种均匀的晶元级图案制备方案促进了图形化Si衬底技术和蛳基Ⅲ-V半导体异质外延．
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纳米技术与精密工程杂志
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