摘要：常规ZIF-8膜制备方式主要是原位合成法、晶种二次法等,但是在膜制备过程中都存在一定的缺陷,主要是由于水热合成存在溶剂热以及膜层与无机材料表面之间结合能力差等原因.以有机硅为膜基底,掺杂ZIF-8填充剂,采用两步法制备了稳定且具有较高气体分离性能的ZIF-8/有机硅杂化膜,通过扫描电镜(SEM)、粉末衍射(PXRD)等对不同ZIF-8掺杂比例制备的膜进行了分析表征,并考察了其对膜气体分离性能的影响.结果发现,经两步浸渍提拉后,膜表面均匀致密、无裂痕缺陷.当有机硅与ZIF-8质量比1∶1时,杂化膜的性能更为优异,H2/CH4在150℃时理想选择性系数为47.6,H2∶CH4(1∶1)混合气的分离因子为34.5.