自发Raman散射过程中写激发率对光与原子纠缠源质量的影响
作者： 山西大学光电研究所量子光学与光量子器件国家重点实验室; 山西太原030006; 山西大学极端光学协同创新中心; 山西太原030006
摘要：在87Rb冷原子系综中，利用自发Raman散射过程，实现了光与原子的纠缠。测量了Bell参数S随着写激发率的变化关系，当写激发率增加时，Bell参数s逐渐下降。当写激发率约为1％时，测量了Bell参数S与自旋波存储时间的关系。实验测得Bell参数S会随着存储时间t的增大而减小，在t=80μs的时候S参数的测量值仍然大于2，证明产生的光与原子的纠缠可以保持80μs以上。本文的研究结果为产生高质量的光与原子量子纠缠提供了实验基础。
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