Si-cap厚度对Si/SiGe/SOI量子阱p-FET电学性能的影响

摘要：本工作模拟仿真了Si/SiGe/SOI量子阱p-MOSFETs的电学性能,重点分析了Si-cap层厚度对Ge的层间互扩散的影响。依据本文的仿真模型,Si-cap层越薄,越有利于形成Si/SiGe突变异质结,并有利于形成势垒更深的量子阱,这有利于将更多的空穴限制在SiGe层中,而不是进入厚的Si-cap层中。空穴在SiGe层中的迁移率显著高于在Si-cap层中的迁移率,从而提高了器件性能。此外,较薄的Si-cap层有利于在SiGe层中形成更高的沟道电场,从而提高器件的开启电流。