摘要：通过溶胶凝胶法制备了CaCu3Ti4O12(CCTO),CaCu(3-x)MgxTi4O12(CCMTO,x=0.02,0.1,0.2)陶瓷颗粒,以聚偏氟乙烯(PVDF)为基体,采用机械共混热压制备了PVDF/CCMTO复合材料。研究了CCMTO煅烧温度和Mg^2+掺杂量对PVDF/CCMTO复合材料介电性能、击穿电压、储能密度的影响,以及CCTO填充量对PVDF/CCTO复合材料拉伸强度的影响。结果表明,当煅烧温度为700℃时,陶瓷颗粒粒径较小且分布较窄,复合材料介电性能较好,Mg^2+掺杂后增大了CCTO陶瓷颗粒的晶粒尺寸,当x=0.1时,复合材料的介电常数可以到达96,介电损耗为0.21(填料含量为60%,常温,100 Hz时),此时PVDF/CCMTO储能密度达到1.284 J/cm^3,相比于PVDF/CCTO储能密度提高了一倍。在相同填充量下击穿电压几乎相差不大。PVDF/CCMTO相比于PVDF/CCTO介电常数提高了71%,介电损耗几乎不变,Mg^2+掺杂显著提高了PVDF/CCTO复合材料的介电性能。当CCTO填充量为50%时,复合材料出现团聚现象,PVDF/CCTO复合材料随CCTO填充量的增加,拉伸强度不断下降。