摘要：通过对不同合成条件与制备参数的量子点及其薄膜进行一系列特性表征,实现铯铅溴量子点(CsPbBr3)合成条件和薄膜制备参数的优化。利用热注入的方法,研究了反应温度与反应时间对CsPbBr3量子点特性的影响。设计并获得了不同合成条件下的CsPbBr3量子点样品,并对所有样品进行了特性表征。随后将所有CsPbBr3量子点样品制备成薄膜,探究其薄膜的光致发光特性。反应温度为180℃、反应时间为5s时所合成的量子点尺寸最小,为9nm;旋涂速度为3000r/min、退火温度为80℃、退火时间为10min时,所制备的薄膜光致发光强度最大。得到了相对最优的CsPbBr3量子点合成条件与CsPbBr3量子点薄膜制备条件。