摘要：GaAs材料经机械研磨后,表层形成粗糙界面,用酸碱法表面处理GaAs,使Ga-O、As-O键断裂并修复粗糙界面,处理效果通过电导法测量界面态密度与XPS分析界面化合物价态来表征。结果表明酸碱处理均可降低界面态密度与表面Ga、As氧化物,且酸处理的效果优于碱处理,Ga-O化合物去除率高于As-O化合物去除率,界面态密度的降低可能主要与Ga化合物的减少相关。