热退火对GaN阴极光电发射性能的影响
作者： 商丘师范学院电子电气工程学院; 河南商丘476000; 商丘职业技术学院机电系; 河南商丘476000; 南京理工大学电子工程与光电技术学院; 南京210094
摘要：热退火不但可以减少GaN阴极样品中的各种缺陷和寄生电容,改善材料的结晶属性,而且可以改善样品的表面质量,对提高样品的光谱响应是一种有力的手段。对GaN阴极样品进行了不同温度、不同时间的退火处理,使样品的性能得到了改善,最优条件下样品的暗电流为200pA,电阻率为1.6Ω·cm,最大光谱响应为0.19A/W。依据光谱响应作为评估标准,可以得出,采用700℃热退火10min制备出的阴极具有更高的光电发射性能,从而实现了GaN光电阴极的优化制备工艺。
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