沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究
作者： 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室、新疆电子信息材料与器件重点实验室、中国科学院新疆理化技术研究所; 新疆乌鲁木齐830011; 中国科学院大学; 北京100049
摘要：随着MOS器件尺寸缩小,可靠性效应成为限制器件寿命的突出问题.PMOS晶体管的负偏压温度不稳定性（NBTI）是其中关键问题之一.NBTI效应与器件几何机构密切相关.本文对不同宽长比的65nm工艺PMOSFET晶体管开展了NBTI试验研究.获得了NBTI效应引起的参数退化与器件结构的依赖关系,试验结果表明65nm PMOSFET的NBTI损伤随沟道宽度减小而增大.通过缺陷电荷分析和仿真的方法,从NBTI缺陷产生来源和位置的角度,揭示了产生该结果的原因.指出浅槽隔离（STI）区域的电场和缺陷电荷是导致该现象的主要原因.研究结果为器件可靠性设计提供了参考.
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